Уважаемый, как специалист в области обработки (шлифовки, полировки, сборки и коммутации п/п приборов), могу сказать, что не существует такого метода распределения отдачи (бин) по заданным параметрам качества "шлифовки" или "степени очистки полупроводника". Поэтому и спрашиваю вас, это заявление "спеца" или, как водится, домыслы дилетанта?
Впрочем мы довольно сильно отвлеклись от темы...но одно утверждение цепляется за другое, поэтому придя к истине, легко пройтись по цепочке в обратном направлении.
В этом сообщении вы утверждаете в противовес мне, что разброс технологических параметров не влияет на бин СИд.А вот тут мимо...
Отличаются они составом люминофора и CCT, а не тепловым сопротивлением...
А тут неожиданно соглашаетесь и применяя чуть более широкую формулировку (просто по другому звучащую) говорите, что я не прав, хотя это сообщение противоречит вашему предыдущему и не противоречит моему. Может определитесь?Понятно,... то есть теперь ваша позиция такая, но она уже отличается от исходной.
Бинирование и есть автоматическая сортировка по опр. параметрам.
Чем отличается CREE XRE Q2 от CREE XRE R2? Покажите если не трудно отличия в расположении траверс-перемычек.Отвечу сам....
В одном и том же корпусе.. с одним кристаллом, могут отличатся 1-ваттный от 5-ти ваттного, тем, что у 5-ти ваттного больше траверс-перемычек, что уменьшает омические потери при больших плотностях тока. Могут также отличатся лучшим тепловым сопротивлением "p-n=перехода", что уменьшает тепловые потери, но при всём этом будет присутствовать падение световой отдачи от повышения мощности.