Led Lenser X21

не путайте потребляемую мощность со светоотдачей,
для сравнения 10 СИд по 1 вт дадут соответственно 10 ватт, при светоотдаче в, пусть 100 Lm/ватт получим при использовании одинаковой оптики ну примерно 900-950 lm. это работает при условии примерно ОДИНАКОВЫХ характеристик кристалла. Если же взять 10 древних люксеонов жрущих так же по 1 ватт со светоотдачей в 30-40 lm, потребляемая мощность будет все те же 10 ват, но на выходе получим всего 300 lm приблизительно, соответственно во втором случае намного эффективней и проще будет поставить один современный кристал, чем десять древних.
Да и сейчас 3 XPG хавая по 1 амперу каждый дадут 1000 lm? а жрущий все те же 3 ампера SSC P7 даст 900 в лучшем случае, но три звезды занимают места в разы больше чем одна :) , поэтому если позволяет место лучше установить большее количество менне мощных СИД для повышения эффективности.
ЗЫ : и световые потоки складываются, ведь если в люстре стоит 1 лампа вам светло, а если 4?? еще светлее? прост я так понял из постов выше что 4 лампы будут светить как одна, а жрать как 4, так как световые потоки не складываются??? Чубайс возрадовался бы. Всем кто не верит или не хочет понять что световые потоки складываются срочно провести натурный опыт с парой лампочек в туалете :)
 
Похоже меня не поняли.
Я имел в виду не то что они вообще не складываются а то что общаяя светоотдача для примера 3х диодов по 100 лм будет мене чем 300 лм...
 
общаяя светоотдача для примера 3х диодов по 100 лм будет мене чем 300 лм...
Эта... Люмены это люмены, они не могут рассеяться в никуда. Освещенность по площади будет другой, это да. Но там кандела.
http://ru.wikipedia.org/wiki/Люмен
http://ru.wikipedia.org/wiki/Кандела

Люмены складываются. Всегда. Канделы - нет.

Один 10ти ваттный кристалл на 300 люмен даст, скажем, 300 кандел на расстоянии метр на кругу, диаметром 20 см (коллиматор градусов на 20). Три 3W/100люмен дадут тоже 300 кандел в той же ситуации, но яркость в центре пятна будет выше, чем на краях. И на краях яркость будет разная.

3W - это максимум, что можно эффективно охлаждать в фонарике. Не надо мутить медные мегарадиаторы и вентиляторы. Даже 3-5 штук размазываются по площади и охлаждаются. 10W в точке будет греться сильнее при прочих равных.
 
Я бы сказал так.. что три светодиода XP-G при токе 350 mA, (3х1 ватт) дадут больший световой поток, чем один XP-G на максимуме, (1А) так как при увеличении тока отдача резко уменьшается и эффективность при этом (КПД) может упасть почти в двое.



И это относится к любым мощным светодиодам, не касаясь при этом ещё и их температурной зависимости при таких токах..:-(
 
Мощные диоды обычно состоят из матрицы 4-9-... элементов. По хорошему надо учитывать площадь кристалла. Но охлаждаются они заведомо хуже, это аксиома...
 
Мощные диоды обычно состоят из матрицы 4-9-... элементов. По хорошему надо учитывать площадь кристалла. Но охлаждаются они заведомо хуже, это аксиома...
Мощные светодиоды по всем каталогам начинаются от 0.5 ватт...а не только много кристальные XLamps..:cool:
Учитывать нужно не площадь кристалла, а прежде всего его температуру, тепловое сопротивление составляющих "p-n=перехода-корпус-радиатор-среда" и естественно площадь рассеивания радиатора.
 
Один чёрт, более мощные светодиоды, как правило, будучи нагружены тем же током, что и менее мощные, будут иметь лучший кпд.
 
Один чёрт, более мощные светодиоды, как правило, будучи нагружены тем же током, что и менее мощные, будут иметь лучший кпд.
А чем по вашему отличаются более мощные от менее?%-)
Отвечу сам....
В одном и том же корпусе.. с одним кристаллом, могут отличатся 1-ваттный от 5-ти ваттного, тем, что у 5-ти ваттного больше траверс-перемычек, что уменьшает омические потери при больших плотностях тока. Могут также отличатся лучшим тепловым сопротивлением "p-n=перехода", что уменьшает тепловые потери, но при всём этом будет присутствовать падение световой отдачи от повышения мощности.
К слову сказать... тот же XP-G оптимально (с лучшим КПД) работает при токе 100 mA.
 
Последнее редактирование:
А чем по вашему отличаются более мощные от менее?%-)
Отвечу сам....
В одном и том же корпусе.. с одним кристаллом, могут отличатся 1-ваттный от 5-ти ваттного, тем, что у 5-ти ваттного больше траверс-перемычек, что уменьшает омические потери при больших плотностях тока. Могут также отличатся лучшим тепловым сопротивлением "p-n=перехода", что уменьшает тепловые потери, но при всём этом будет присутствовать падение световой отдачи от повышения мощности.
К слову сказать... тот же XP-G оптимально (с лучшим КПД) работает при токе 100 mA.

А ещё могут отличатся качеством изготовления самого перехода. Например Q2 от Q5 вообще ничем кроме этого не отличается.
 
мастак написал(а):
Могут также отличатся лучшим тепловым сопротивлением "p-n=перехода", что уменьшает тепловые потери
А ещё могут отличатся качеством изготовления самого перехода.
+5.. своя интерпретация конечно всегда убедительнее:)...
Например Q2 от Q5 вообще ничем кроме этого не отличается.
А вот тут мимо...:-X
Отличаются они составом люминофора и CCT, а не тепловым сопротивлением...
 
+5.. своя интерпретация конечно всегда убедительнее:)...

А вот тут мимо...:-X
Отличаются они составом люминофора и CCT, а не тепловым сопротивлением...
Под качеством изготовления перехода я подразумевал степень очистки полупроводника, качеством шлифовки верхней поверхности, количеством добавок для создания дырочной проводимости и их степенью диффузии, в нужных местах. Что-что но на тепловое сопротивление эти параметры практически не влияют, а вот разброс параметров вполне могут вызвать.
 
Под качеством изготовления перехода я подразумевал степень очистки полупроводника, качеством шлифовки верхней поверхности, количеством добавок для создания дырочной проводимости и их степенью диффузии, в нужных местах. Что-что но на тепловое сопротивление эти параметры практически не влияют, а вот разброс параметров вполне могут вызвать.
Расскажите "плиз" по подробнее про технологию качества степени очистки полупроводников, особенно о качестве шлифовки верхней поверхности?%-) а также о количестве добавок?:cool:... (чувствуется, что вы боо..льшой специалист в этой области) и как это согласуется с....

 
Расскажите "плиз" по подробнее про технологию качества степени очистки полупроводников, особенно о качестве шлифовки верхней поверхности?%-) а также о количестве добавок?:cool:... (чувствуется, что вы боо..льшой специалист в этой области) и как это согласуется с....

Долго в гогле ответ искали?
 
Долго в гогле ответ искали?
Уважаемый, как специалист в области обработки (шлифовки, полировки, сборки и коммутации п/п приборов), могу сказать, что не существует такого метода распределения отдачи (бин) по заданным параметрам качества "шлифовки" или "степени очистки полупроводника". Поэтому и спрашиваю вас, это заявление "спеца" или, как водится, домыслы дилетанта?:cool:
Впрочем мы довольно сильно отвлеклись от темы...но одно утверждение цепляется за другое, поэтому придя к истине, легко пройтись по цепочке в обратном направлении.
 
Уважаемый, как специалист в области обработки (шлифовки, полировки, сборки и коммутации п/п приборов), могу сказать, что не существует такого метода распределения отдачи (бин) по заданным параметрам качества "шлифовки" или "степени очистки полупроводника". Поэтому и спрашиваю вас, это заявление "спеца" или, как водится, домыслы дилетанта?:cool:
Впрочем мы довольно сильно отвлеклись от темы...но одно утверждение цепляется за другое, поэтому придя к истине, легко пройтись по цепочке в обратном направлении.

Тоесть вы хотите сказать, что технологический расброс параметров при изготовлении кристалов СИД невозможен? И изначально небольшой разброс (в пределах нормы) поставляемого сырья далее не отразится на светоотдаче, и как следствии на возможном бине?
 
Тоесть вы хотите сказать, что технологический расброс параметров при изготовлении кристалов СИД невозможен? И изначально небольшой разброс (в пределах нормы) поставляемого сырья далее не отразится на светоотдаче, и как следствии на возможном бине?
Технологический разброс параметров всегда имеет место быть, но это объективный процесс и он заложен в спецификации, а вы, по моему, утверждали о заданности этого процесса, то есть о субъективном факторе.
Так вот, никто и никогда специально данными, вами заявленными методами, (качеством шлифовки или "упаси бог", качеством очистки) не задавал нужных параметров отдачи (бин). А вот от состава люминофора этот параметр сильно зависит и его уже можно контролировать.
Как правило, более холодный спектр белого обладает и лучшей отдачей...
 
Технологический разброс параметров всегда имеет место быть, но это объективный процесс и он заложен в спецификации, а вы, по моему, утверждали о заданности этого процесса, то есть о субъективном факторе.
Так вот, никто и никогда специально данными, вами заявленными методами, (качеством шлифовки или "упаси бог", качеством очистки) не задавал нужных параметров отдачи (бин). А вот от состава люминофора этот параметр сильно зависит и его уже можно контролировать.
Как правило, более холодный спектр белого обладает и лучшей отдачей...
Да , процесс производства специально никто не нарушает. Но когда производят полупроводники часть отбраковывается, часть получается лучше, часть хуже. Вспомните производство тех же процессоров. Часть из них удаётся и идёт в тповые модели подороже, а часть идёт под меньший множитель, а часть выкидывается.
Скорее всего люминофор приготовить однородным и без пониженных характеристик гораздо более легко чем полупроводник. Вспомнить хотя бы недавнее время, когда фирма кри не могла обеспечить рынок СИД с высоким бином. Недумаю, что виной этому был люминофор, т.к. состав его наверняка практически одинаков в химическом смысле, и отличаются только массовые доли компонентов для придания различной цветовой температуры.
 
Да , процесс производства специально никто не нарушает.
Понятно,... то есть теперь ваша позиция такая, но она уже отличается от исходной.:cool:
Бинирование и есть автоматическая сортировка по опр. параметрам.
 
Последнее редактирование:
Сверху