Чтобы сделать селеновый фотоэлемент, используют пластину или шайбу селенового выпрямителя (даже поврежденную) размерами не менее 40 X 40 мм (или диаметром 50 мм). Сначала удаляют белую пленку с металлическим блеском. Затем зажимают пластину в плоскогубцах (поверхность захвата около 0,5 см) и нагревают ту ее сторону, где нет полупроводника, над паяльником или электроплиткой. Когда верхний слой расплавится (что легко обнаружить по внезапному усилению блеска), чистой жесткой волосяной щеткой быстро счищают его до появления серой матовой поверхности. Если пластина все же блестит или появится характерный запах (напоминающий запах сельдерея), то это будет означать, что элемент испорчен (например, перегрет). После охлаждения пластины в месте захвата плоскогубцами припаивают (с помощью капли олова) вывод из медного провода. Второй вывод присоединяют к основанию элемента (рис. 2.10, е). Если подключить теперь выводы к милливольтметру или микроамперметру и осветить элемент электролампой мощностью 100 Вт с расстояния 40 см, то можно получить напряжение 100 ... 110 мВ (на нагрузке 10 кОм) или ток 30... 40 мкА (нагрузка 50 кОм), При нагрузке сопротивлением 2 кОм напряжение составит 45...50 мВ. Подобные селеновые фотоэлементы могут работать в простых фотоэлектрических устройствах при солнечном или интенсивном искусственном освещении, а также в солнечных батареях. В связи с низким к. п. д. такого фотопреобразователя (он примерно в 85 раз меньше заводского), элементы приходится соединять в батареи. Чем больше поверхность пластины, тем лучше. Из-за низкой чувствительности одиночных элементов их трудно использовать в фотоэлектрических измерительных приборах. Они пригодны для экспериментов, но не для практических целей.
(рис.2.10) Самодельные фотоэлементы: а...б - из полупроводниковых диодов с прозрачным корпусом, например с удаленным светозащитным лаком - сопротивление нагрузка); в...а - из транзисторов в металлическом корпусе; ж - из транзисторов в стеклянном корпусе (светозащитный лак частично удален).
Транзистор (рис. 2.10, в...д), включенный в схему рис. 2.10, ж, при освещении от спички уменьшит свое внутреннее сопротивление от 100 до 3...5 кОм. а при освещении его электролампой мощностью 100...500 Вт в телефонах появится фон переменного тока 50 Гц.
Фотодиод, фоторезистор, фототранзистор можно сделать из обычного НЧ или ВЧ транзистора. Для этого надо спилить часть корпуса и удалить попавшие внутрь опилки. Полученное таким образом входное окно светочувствительного элемента следует прикрыть тонкой пластиной из прозрачного материала (Оргстекла,целлулоида). В транзисторах старых выпусков со стеклянным корпусом достаточно смыть (ацетоном) или выцарапать входное окно в светозащитной пленке. Можно также использовать точечные диоды в стеклянном корпусе. Чтобы повысить чувствительность фотоэлементов, используют линзы, концентрирующие световые лучи на р-n переходе.
Однако наилучших результатов можно достигнуть, если сигнал фототранзистора усилить с помощью другого транзистора.
Если к фотодиоду подключить высокоомный вольтметр, то под влиянием освещения он покажет некоторое напряжение. Если тот же диод включить последовательно с - микроамперметром и источником напряжения 3...6 В, то при его освещении ток в цепи будет изменяться и диод превратится в регулируемый резистор. С самодельными фотодиодами и фототранзисторами можно собрать также солнечную батарею.
При экспериментах в качестве источника света можно использовать не только солнечные лучи, но и электролампы мощностью 60...100 Вт (при расстоянии до светочувствительного элемента 0,1...1 м).